中芯國(guó)際在晶圓市場(chǎng)迅猛發(fā)展的勢(shì)頭使臺(tái)積電深受壓力，在去年底挑起訴訟但并未延緩中芯國(guó)際上市步伐后，臺(tái)積電近日再度發(fā)難，以與去年底相同的“訴狀”，在美控告中芯國(guó)際，試圖“阻止”中芯國(guó)際躋身全球晶圓代工企業(yè)三甲。

全球最大的晶圓代工企業(yè)臺(tái)積電近日向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（ITC）提起申訴，指控中芯國(guó)際（上海）侵犯其專利并通過(guò)不正當(dāng)手段竊取其商業(yè)秘密。臺(tái)積電在向ITC遞交的訴狀中，稱中芯國(guó)際侵犯了其3項(xiàng)專利權(quán)，要求美國(guó)方面禁止進(jìn)口和出售中芯國(guó)際的產(chǎn)品，并要求中芯國(guó)際支付3倍的賠償金及相關(guān)成本。

臺(tái)積電的發(fā)言人表示，臺(tái)積電及其北美子公司和WaferTech公司已經(jīng)向ITC提出申請(qǐng)，要求ITC對(duì)中芯國(guó)際（上海）、中芯國(guó)際（北京）以及中芯國(guó)際美國(guó)子公司展開(kāi)調(diào)查。臺(tái)積電還提出，希望ITC簽發(fā)永久性禁令，禁止中芯國(guó)際所有未經(jīng)授權(quán)的半導(dǎo)體設(shè)備和產(chǎn)品進(jìn)入美國(guó)，并禁止中芯國(guó)際在美國(guó)市場(chǎng)上出售產(chǎn)品。

據(jù)上海WTO事務(wù)咨詢中心的消息，臺(tái)積電還要求ITC根據(jù)修訂后的1930年關(guān)稅法第337條款，對(duì)某種半導(dǎo)體器件及包含其中的產(chǎn)品展開(kāi)一項(xiàng)“337條款”的知識(shí)產(chǎn)權(quán)調(diào)查。涉案企業(yè)除中芯國(guó)際外，還有半導(dǎo)體制造國(guó)際公司（開(kāi)曼群島）和總部位于美國(guó)加利福尼亞州的Fremont公司。

此外，臺(tái)積電上周五向美國(guó)證券交易委員會(huì)提交了名為“8——K”的報(bào)告，稱它已要求ITC立即就此事展開(kāi)調(diào)查。臺(tái)積電在相關(guān)文件中表示，已就中芯國(guó)際涉嫌侵犯的3項(xiàng)專利權(quán)向加州北部聯(lián)邦地方法院提起專利侵權(quán)訴訟，尋求禁止令救濟(jì)，并要求中芯國(guó)際支付3倍的賠償金及相關(guān)成本。

事實(shí)上，臺(tái)積電和中芯國(guó)際的糾葛由來(lái)已久。去年12月，臺(tái)積電就在美國(guó)起訴中芯國(guó)際，稱后者侵犯了其多項(xiàng)專利并竊取了部分商業(yè)秘密。

分析人士表示，兩者的恩怨是由于2000年4月中芯國(guó)際在上海成立以來(lái)，臺(tái)積電陸續(xù)有職員跳槽到中芯國(guó)際而生。這令臺(tái)積電極為惱火，稱中芯國(guó)際挖自己“墻角”，并通過(guò)不正當(dāng)手段獲取了自己的商業(yè)秘密。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)，中芯國(guó)際的銷售收入在2004年將增長(zhǎng)近兩倍，突破10億美元大關(guān)。更具突破性的是，中芯國(guó)際將在今年躋身全球四大晶圓代工廠之列，位居中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積電和聯(lián)電、新加坡的特許半導(dǎo)體之后。

業(yè)內(nèi)預(yù)期，由于中芯國(guó)際等后來(lái)者的加入，盡管龍頭老大臺(tái)積電今年的銷售額將增長(zhǎng)37%，但其市場(chǎng)份額將會(huì)下降5%。隨著中芯國(guó)際產(chǎn)能的擴(kuò)大，它可能在2005年超過(guò)特許半導(dǎo)體而晉級(jí)三甲。

今年3月，中芯國(guó)際分別在美國(guó)紐約證券交易所和香港聯(lián)合交易所上市，募資約15億美元。公司計(jì)劃籌措資金在2005年前將硅晶圓的月產(chǎn)量提高3倍至17萬(wàn)片，并且在北京投資建立中國(guó)大陸第一家12英寸晶圓廠。